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스마일라식 3달 후기 (88일차) - 경과와 부작용 *** 병원 정보는 알려드리지 않습니다. *** 병원의 문제라는 확실한 정보도 없고, 수술을 고려하시는 분들이 물어보시는거라면 물론 잘하는 병원에서 하면 성공확률이 더 높겠지만, 저도 유명하다는 병원 찾아가서 한건데도 이렇게 됐습니다. 잘하는 병원이더라도 부작용은 발생합니다. *** 아래 내용들은 제가 겪은 내용일 뿐, 의학적인 처방이나 권장 사항이 아닙니다. *** 1) 경과 우선 증상은 그대로입니다. 좌안에 잔상으로 생기는 복시, 비문증, 비주얼스노우, 눈부심, 안통과 두통, 경미한 안구건조증, 빛번짐. 오히려 안통과 두통이 심해져서 도저히 일을 할수가 없는 지경까지 갔다왔습니다. 수많은 부작용이 전혀 개선의 여지가 보이지 않다보니 그동안 수많은 정보를 찾아보았습니다. 병원에서는 '수술 후 회복 과정.. 2021. 5. 9.
스마일라식 1달차 후기 - 경과와 부작용 *** 아직까지는 수술 초기라 회복 가능성이 있다고 믿고 싶기 때문에 병원정보는 알려드리지 않습니다. *** 스마일라식 32일차 후기 주변에 스마일라식 한 사람이 점점 생겨나고 다들 만족해해서 뽐뿌가 오던 중에 설날 연휴가 다가오니 이때가 아니면 못한다는 생각으로 급하게 스마일라식 수술을 해버렸다. 지금 생각해보면 정말 위험한 결정이었다. 내 눈을 수술하는건데 적당히 찾아보니 3세대 수술이라는 말에 당연히 기존 수술에 비해 부작용 같은건 훨씬 적은 좋은 수술인줄 알았다. 더 자세히 찾아보았어야 하는데 그저 남들이 좋다고 하는 말만 듣고, 남들이 받았다는 병원에서 설명도 대충 들으며 그저 스마일라식 해주세요라는 식으로 상담받았다. 부작용 같은거는 진짜 가끔 생기는 그런 일인 줄 알았고, 인터넷에 있는 부작.. 2021. 3. 14.
18. deposition 공정(2) (PVD) PVD (physical vapor deposition) 물리적 기상 증착 방법으로 화학적 반응을 동반하지 않는 증착 방법. 순도가 좋은 금속막질의 증착에 사용. evaporation sputtering ion plating 방법 장단점 evaporation 진공 chamber에서 박막 source를 가열하여 기화하는 방식 고진공이 필요 sputtering 진공 chamber에서 박막 source에 Ar plasma를 충돌시켜 원자/분자를 방출하여 증착 증착 능력(uniformity/purity) 우수 저온 공정 고전압 필요 ion plating 진공 chamber에서 박막 source를 가열 증발 시킨 후, Ar plasma에 충돌 치밀하고 물성이 우수한 박막 구현 저온 공정 (1) evaporatio.. 2020. 9. 23.
17. deposition 공정(1) (정의, requirements, 종류) (1) deposition 공정이란? 웨이퍼 위에 원하는 분자 또는 원자 단위의 물질을 박막의 형태로 형성하는 공정. 목표하는 특성을 갖게 하기 위해서. ex) isolation(trench filling), gate stack(gate oxide, electrode), via/contact, ILD/IMD oxide, metal lines (2) requirements for desirable deposition quality: desired composition, low contaminants, good electrical and mechanical properties. ex) electrical properties: resistivity, dielectric characteristic, breakd.. 2020. 9. 22.
16. diffusion 공정 & oxidation 공정 (1) diffusion 공정이란? : chamber 내에서 투입된 불순물 gas 또는 기판 위 증착된 불순물 물질을 기판으로 침투시켜 불순물을 doping하는 공정. (확산 원리 이용 → diffusion 공정이라 부르게 됨) : doping. cf) doping 목적의 diffusion 공정은 junction의 깊이가 깊고 소자의 size가 큰 bipolar 공정에서 적용되어 왔으나, isotropic doping profile과 오랜 공정 진행시간, bipolar에서 MOSFET 공정으로의 전환으로 인해 ion implant 공정으로 전환되었다. : 불순물의 농도, chamber 온도, 확산 시간, 분위기(주위 가스), 대상 기판의 격자결합 상태. : 100~200장의 wafer를 quartz bo.. 2020. 6. 29.
15. ion implant 공정(2) (문제점, 검사법, 장비) (1) 발생 가능한 문제점 1) channeling effect 이온 주입 입사각에 따라 이온의 도달 깊이가 달라지면서 산포가 바뀌는 현상. 이온 주입 각도가 Si 격자 방향과 같을 때 다수의 이온들이 격자와 충돌없이 내부 깊숙이 도달. → 'long tail'처럼 doping 산포가 길게 늘어짐. → 깊이 분포의 예측이 어려워진다. ① axial tilt : 각도를 기울여서 이온 주입 (wafer의 표면 방향을 이온 beam 방향으로부터 기울임). → 격자와의 충돌을 만들어 줌. but, shadowing effect 발생 가능. ② planar rotation : wafer 평판의 flat zone을 이온 beam 스캔 방향으로부터 기울임. ③ sacrificial oxide : 표면에 산화막을 형성.. 2020. 6. 17.

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