이온주입공정2 15. ion implant 공정(2) (문제점, 검사법, 장비) (1) 발생 가능한 문제점 1) channeling effect 이온 주입 입사각에 따라 이온의 도달 깊이가 달라지면서 산포가 바뀌는 현상. 이온 주입 각도가 Si 격자 방향과 같을 때 다수의 이온들이 격자와 충돌없이 내부 깊숙이 도달. → 'long tail'처럼 doping 산포가 길게 늘어짐. → 깊이 분포의 예측이 어려워진다. ① axial tilt : 각도를 기울여서 이온 주입 (wafer의 표면 방향을 이온 beam 방향으로부터 기울임). → 격자와의 충돌을 만들어 줌. but, shadowing effect 발생 가능. ② planar rotation : wafer 평판의 flat zone을 이온 beam 스캔 방향으로부터 기울임. ③ sacrificial oxide : 표면에 산화막을 형성.. 2020. 6. 17. 14. ion implant 공정(1) (정의, parameter, annealing) (1) ion implant 공정이란? : 반도체가 전기적 성질을 가질 수 있도록 carrier를 지닌 원자나 분자를 원하는 부위에 주입(doping)하는 공정. : 트랜지스터 트렌드 변화 → ion implant 공정 적용이 필수가 됨. ① BJT → MOSFET. MOSFET BJT junction 깊이 얕음. junction 깊이 깊음. 소자 size 측면 anisotropic doping 반드시 필요. - doping이 필요한 layer 수가 점점 증가. doping layer 수가 적음. ② scaling down. 소자 크기와 동작 전압이 갈수록 scale down → junction depth도 함께 scale down해야 함. → shallow junction 필요. total parasi.. 2020. 6. 11. 이전 1 다음
