cleaning2 13. cleaning 공정(2) (오염물질의 종류) 1. 오염물질의 영향 구조적 형상 왜곡 소자 영역의 전기적 특성 저하 신뢰성 저하 배선 영역의 단락과 단선 2. 오염물질의 종류 오염물 원인 소자/프로세스 영향 particle 대기 중의 먼지, 장비, 사람 공정 진행 시 발생하는 입자 gate oxide 특성 저하 poly-Si/metal bridge 불량 organics 대기 중 유기화합물 PR 잔류물 사람의 유기물 oxidation 공정 불량 산화막 불량 metal impurities 장비 등에서 발생하는 금속 성분 불순물 junction leakage 증가, 수명 감소 등 전기적 특성 저하 micro roughness cleaning 작업 시 wafer 표면의 미세 거칠기 증가 break down 특성 저하 carrier mobility 특성 저하.. 2020. 6. 9. 12. cleaning 공정(1) (목적, 방식) : 오염물질을 화학적, 물리적인 방법을 이용하여 효과적으로 제거. : 안정적인 수율 확보 반도체 미세화 → step 수 증가 → 오염물질 발생 확률↑ → cleaning 공정 횟수↑ 반도체 미세화 → 과거에는 영향을 미치지 않던 작은 오염물질도 치명적 영향(killing defect) ∴ cleaning 공정의 중요성과 난이도↑ (1) wet cleaning : 특수 chemical liquid를 이용하여 cleaning. ① dipping 방식 (=batch 방식) chemical bath에 다량의 wafer를 동시에 담그는 방식. RCA cleaning이 기본. 1Lot(25매)를 동시에 처리할 수 있다. * RCA cleaning 표준 세정액으로 SC-1과 SC-2를 사용. 세정액은 H2O2(과산화.. 2020. 6. 5. 이전 1 다음
