diffusion2 16. diffusion 공정 & oxidation 공정 (1) diffusion 공정이란? : chamber 내에서 투입된 불순물 gas 또는 기판 위 증착된 불순물 물질을 기판으로 침투시켜 불순물을 doping하는 공정. (확산 원리 이용 → diffusion 공정이라 부르게 됨) : doping. cf) doping 목적의 diffusion 공정은 junction의 깊이가 깊고 소자의 size가 큰 bipolar 공정에서 적용되어 왔으나, isotropic doping profile과 오랜 공정 진행시간, bipolar에서 MOSFET 공정으로의 전환으로 인해 ion implant 공정으로 전환되었다. : 불순물의 농도, chamber 온도, 확산 시간, 분위기(주위 가스), 대상 기판의 격자결합 상태. : 100~200장의 wafer를 quartz bo.. 2020. 6. 29. 14. ion implant 공정(1) (정의, parameter, annealing) (1) ion implant 공정이란? : 반도체가 전기적 성질을 가질 수 있도록 carrier를 지닌 원자나 분자를 원하는 부위에 주입(doping)하는 공정. : 트랜지스터 트렌드 변화 → ion implant 공정 적용이 필수가 됨. ① BJT → MOSFET. MOSFET BJT junction 깊이 얕음. junction 깊이 깊음. 소자 size 측면 anisotropic doping 반드시 필요. - doping이 필요한 layer 수가 점점 증가. doping layer 수가 적음. ② scaling down. 소자 크기와 동작 전압이 갈수록 scale down → junction depth도 함께 scale down해야 함. → shallow junction 필요. total parasi.. 2020. 6. 11. 이전 1 다음
