13. cleaning 공정(2) (오염물질의 종류)

1. 오염물질의 영향

• 구조적 형상 왜곡
• 소자 영역의 전기적 특성 저하
• 신뢰성 저하
• 배선 영역의 단락과 단선

 

2. 오염물질의 종류

오염물	원인	소자/프로세스 영향
particle	대기 중의 먼지, 장비, 사람 공정 진행 시 발생하는 입자	gate oxide 특성 저하 poly-Si/metal bridge 불량
organics	대기 중 유기화합물 PR 잔류물 사람의 유기물	oxidation 공정 불량 산화막 불량
metal impurities	장비 등에서 발생하는 금속 성분 불순물	junction leakage 증가, 수명 감소 등 전기적 특성 저하
micro roughness	cleaning 작업 시 wafer 표면의 미세 거칠기 증가	break down 특성 저하 carrier mobility 특성 저하
native oxide	Si이 대기 중의 산소와 반응하여 형성	gate oxide 특성/품질 저하 silicide 형성 불량 contact 저항 증가 불량

 

 

 

 

<참고문헌> 이창훈, 반도체 소소제공, 더인 출판사, 2019, pp.171.