4. Photo 공정 순서(3) (PEB, develop, hard bake)

(6) PEB (post exposure bake)

<WHAT>

 : 100도 이상의 온도에서 2분 정도 bake하는 step. 노광 후 bake.

 

<WHY>

 : 광을 받은 부분과 받지 않은 부분의 경계면에 생기는 standing wave를 없애기 위해.
  ∵ standing wave가 존재하는 상태로 develop하게 되면 후속 공정의 정확도가 떨어지고 균일도가 나빠짐.

 

<HOW>

 : 확산에 의해 파도와 같은 경계면이 반듯하게 펴짐.
→ 현상 후 남은 PR의 측벽을 평탄하게 만들어서 후속공정인 식각이나 이온주입의 균일도를 확보.

standing wave로 인한 경계면 (출처: http://www1.ece.uic.edu/~zyang/Teaching/20182019FallECE347/Downloads/18.pdf)

PEB 시간에 따른 경계면의 변화. (a) exposure이후. (b~d) PEB 이후. (출처: http://www1.ece.uic.edu/~zyang/Teaching/20182019FallECE347/Downloads/18.pdf)

 

(7) develop

<WHAT>

 : 노광된 영역과 노광되지 않은 영역을 현상액을 이용하여 선택적으로 제거.

 

<WHY>

 : 패턴 형성.

 

<HOW>

spray 방식과 puddle 방식 (출처: http://www.lithoguru.com/scientist/lithobasics.html)

 1) spray 방식

  : 현상액을 nozzle을 통해 압력으로 분사. DI water로 세정.

 

 2) puddle 방식

•  느린 속도로 wafer를 회전하며, 약간의 현상액을 뿌려 초기 현상 진행.
• 정지 상태에서 wafer 위에 현상액을 올려 표면장력으로 현상하는 방식.
• spray 방식보다 현상액의 소모량이 적고, uniformity가 우수하다.

 

(8) hard bake

<WHAT>

 : develop에서 남은 잔류 현상액이나 세정액을 고온의 가열로 휘발시켜 제거.

 

<WHY>

 : PR의 내식각성과 접착성을 증가.

 

<HOW>

 : 패턴의 열변형 방지를 위해 PEB의 온도와 비슷한 110~120℃로 bake.

 

 

 

 

<참고문헌>

이창훈, 반도체 소소제공, 더인 출판사, 2019, pp.129-130.