annealing1 14. ion implant 공정(1) (정의, parameter, annealing) (1) ion implant 공정이란? : 반도체가 전기적 성질을 가질 수 있도록 carrier를 지닌 원자나 분자를 원하는 부위에 주입(doping)하는 공정. : 트랜지스터 트렌드 변화 → ion implant 공정 적용이 필수가 됨. ① BJT → MOSFET. MOSFET BJT junction 깊이 얕음. junction 깊이 깊음. 소자 size 측면 anisotropic doping 반드시 필요. - doping이 필요한 layer 수가 점점 증가. doping layer 수가 적음. ② scaling down. 소자 크기와 동작 전압이 갈수록 scale down → junction depth도 함께 scale down해야 함. → shallow junction 필요. total parasi.. 2020. 6. 11. 이전 1 다음
