PEB1 4. Photo 공정 순서(3) (PEB, develop, hard bake) (6) PEB (post exposure bake) : 100도 이상의 온도에서 2분 정도 bake하는 step. 노광 후 bake. : 광을 받은 부분과 받지 않은 부분의 경계면에 생기는 standing wave를 없애기 위해. ∵ standing wave가 존재하는 상태로 develop하게 되면 후속 공정의 정확도가 떨어지고 균일도가 나빠짐. : 확산에 의해 파도와 같은 경계면이 반듯하게 펴짐. → 현상 후 남은 PR의 측벽을 평탄하게 만들어서 후속공정인 식각이나 이온주입의 균일도를 확보. (7) develop : 노광된 영역과 노광되지 않은 영역을 현상액을 이용하여 선택적으로 제거. : 패턴 형성. 1) spray 방식 : 현상액을 nozzle을 통해 압력으로 분사. DI water로 세정. 2) .. 2020. 5. 27. 이전 1 다음
