soft bake1 3. Photo 공정 순서(2) (soft bake, mask align, exposure) (3) soft bake : PR 도포 후 약 100도의 온도에서 bake → PR 내 잔류 solvent를 확실히 제거. *PR 내 solvent가 잔류한다면? : 후속 노광 step에서 증발되면서 마스크나 노광설비의 렌즈를 오염. 노광 품질에도 악영향. (4) mask align : wafer를 노광설비로 옮긴 후, mask와 wafer를 정렬하는 작업. : wafer 위에 PR 패턴을 정확한 위치에 새기기 위해. : mask align을 위한 기준점으로 mask의 die와 die 사이 빈 영역에 사각형과 십자가 모양의 align key 패턴을 미리 만들어 놓는다. *align 정렬이 한계점이상 틀어진다면? : 소자의 특성이 나빠지거나 수율 loss 등의 불량이 발생. (5) exposure : PR.. 2020. 5. 27. 이전 1 다음
