critical dimension1 5. Photo 공정 순서(4) (검사, PR strip) (9) photo공정 검사 wafer내 여러 곳에서 CD(critical dimension = 선폭)와 overlay를 측정하여 spec을 만족하는 지 판단. PR의 CD가 목표보다 크거나 작을 경우, 후속 공정에서 불량이 발생. 후속 공정이 이온주입인 경우 → 이온을 주입해야 할 영역에 주입이 되지 않거나, 주입하지 말아야 할 영역에 주입 → 소자의 전기적인 특성이나 동작상의 오류 발생 후속 공정이 식각공정인 경우 → 소자나 배선의 전기적 특성이나 구조가 불량 gate 만드는 layer에서 PR의 CD가 다른 경우 → gate의 채널 length가 길거나 짧아짐 → 소자의 saturated current나 leakage 측면에서 목표 대비 중심값이 달라지거나 산포가 커지는 문제 발생. 1) CD 측정 .. 2020. 5. 28. 이전 1 다음
